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射頻易商城_芯片電容_一種電容式芯片新結(jié)構(gòu)②

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一種電容式芯片結(jié)構(gòu)②

或下極板(3) 、中間極板(4) 和上極板(6) 的組合為多組,沿豎向布置;上方組的中間極板(4) 為相鄰下方組的上極板(6) ;上方組的下極板(3) 為相鄰下方組的中間極板(4) ;最上方組的上極板(6) 和最下方組的下極板(3) 為感壓極板; 上方組的上極板(6) 、上方組的下極板(3) 接極性的電信號,上方組的中間極板(4) 和相鄰下方組的下極板(3) 接第二極性的電信號,極性與第二極性相反。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述下極板(3) 、中間極板(4) 和上極板(6)的組合為兩組,沿豎向布置;上方組的下極板(3) 為下方組的上極板(6) ; 上方組的上極板(6) 和下方組的下極板(3) 為感壓極板; 上方組的上極板(6) 、上方組的下極板(3) 和下方組的下極板(3) 接極性的電信號,上方組的中間極板(4) 和下方組的中間極板(4) 接第二極性的電信號,極性與第二極性相反。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述中間極板(4) 上設(shè)置有介質(zhì)層

作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述下極板(3) 設(shè)置在襯底(2) 。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述襯底(2) 下端設(shè)置有墊塊。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述下極板(3) 外端向外延伸,向外延伸部的外

端設(shè)置在襯底(2) 上,該向外延伸部上設(shè)置有通孔形成進壓腔使下極板感壓;作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型在所述襯底上設(shè)置通孔形成進壓腔使下極板感壓。作為另一種優(yōu)選方案, 本實用新型所述上密封腔體的高度大于下密封腔體的高度。作為另一種優(yōu)選方案, 本實用新型所述上密封腔體的長度大于下密封腔體的長度。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述上極板(6)的厚度小于中間極板(4) 和下極板(3)的厚度。作為另一種優(yōu)選方案,本實用新型所述襯底(2) 為單晶硅襯底。其次,本實用新型所述下極板(3) 下方為進壓腔(1) ,下極板(3) 為感壓極板,中間極板(4) 為可動極板,上極板(6) 為感壓極板。另外,本實用新型所述上、中、下三個極板通過壓焊點及金屬引線(8) 或壓焊點與外部電路連接。本實用新型結(jié)構(gòu)使用時,上極板感可用作感壓極板,上極板(6) 與中間極板(4) 形成感壓可變電容,中間極板(4) 和下極板(3) 可形成感壓不變電容,將兩個電容聯(lián)接形成差分電容結(jié)構(gòu),抗共模干擾信號,輸出特性更好。對比現(xiàn)在普遍應(yīng)用平面排列的差分電容結(jié)構(gòu)芯片,本實用新型更節(jié)省芯片面積,芯片面積可減小約二分之一。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容


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絕緣電阻@電壓:≥1G@25V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:2.290*2.290*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。


推薦產(chǎn)品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容


型號:C12-30-50V-102
容值/容差:1000pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥1G@50V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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