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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容的原理及指標(biāo)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的原理及指標(biāo)

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位于所述電容矩陣的對角線上以及所述對角線一側(cè)的各所述電容均具有容值，位于所述對角線另一側(cè)的各所述電容均具有第二容值。3. 如權(quán)利要求2所述的矩陣電容板，其特征在于，所述信號線的數(shù)量等于所述第二信號線的數(shù)量。4.如權(quán)利要求1所述的矩陣電容板，其特征在于，不同容值的所述電容滿足如下條件：任意兩種容值的容值差大于或者等于較大容值的三分之一。5. 如權(quán)利要求1所述的矩陣電容板， 其特征在于， 所述電容矩陣中包括兩種容值的電容，且所述兩種容值分別為1 .5皮法和1 .0皮法。6.一種芯片測試方法，其特征在于，包括：提供如權(quán)利要求1至5中任一項所述的矩陣電容板，并將所述矩陣電容板連接至待測的芯片；將所述信號線、所述第二信號線的其中一種信號線作為發(fā)射通道，且將另一種信號線作為接收通道；向各所述發(fā)射通道依次施加掃描電壓，并從各所述接收通道接收輸出電壓；根據(jù)各所述接收通道接收的輸出電壓，分析所述芯片的性能狀況；每個所述發(fā)射通道對應(yīng)于一組輸出電壓且這組輸出電壓為在所述發(fā)射通道被施加所述掃描電壓時，從各所述接收通道接收的輸出電壓；將所述發(fā)射通道作為當(dāng)前測試通道；所述根據(jù)各所述接收通道接收的輸出電壓，分析所述芯片的性能狀況，包括：對于每個所述當(dāng)前測試通道，將所述當(dāng)前測試通道對應(yīng)的一組輸出電壓中各所述輸出電壓的電壓值，作為所述當(dāng)前測試通道對應(yīng)的電壓分布圖案；

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電4700pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-60-25V-472
容值/容差：4700pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.524*1.524*0.150 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電47pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-20-100V-470
容值/容差：47pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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