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矩陣電容板及芯片測試方法
位于所述電容矩陣的對角線上以及所述對角線一側(cè)的各所述電容均具有容值,位于所述對角線另一側(cè)的各所述電容均具有第二容值。3. 如權(quán)利要求2所述的矩陣電容板,其特征在于,所述信號線的數(shù)量等于所述第二信號線的數(shù)量。4.如權(quán)利要求1所述的矩陣電容板,其特征在于,不同容值的所述電容滿足如下條件:任意兩種容值的容值差大于或者等于較大容值的三分之一。5. 如權(quán)利要求1所述的矩陣電容板, 其特征在于, 所述電容矩陣中包括兩種容值的電容,且所述兩種容值分別為1 .5皮法和1 .0皮法。6.一種芯片測試方法,其特征在于,包括:提供如權(quán)利要求1至5中任一項所述的矩陣電容板,并將所述矩陣電容板連接至待測的芯片;將所述信號線、所述第二信號線的其中一種信號線作為發(fā)射通道,且將另一種信號線作為接收通道;向各所述發(fā)射通道依次施加掃描電壓,并從各所述接收通道接收輸出電壓;根據(jù)各所述接收通道接收的輸出電壓,分析所述芯片的性能狀況;每個所述發(fā)射通道對應(yīng)于一組輸出電壓且這組輸出電壓為在所述發(fā)射通道被施加所述掃描電壓時,從各所述接收通道接收的輸出電壓;將所述發(fā)射通道作為當(dāng)前測試通道;所述根據(jù)各所述接收通道接收的輸出電壓,分析所述芯片的性能狀況,包括:對于每個所述當(dāng)前測試通道,將所述當(dāng)前測試通道對應(yīng)的一組輸出電壓中各所述輸出電壓的電壓值,作為所述當(dāng)前測試通道對應(yīng)的電壓分布圖案;
推薦產(chǎn)品一、麗芯微電4700pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容
型號:C12-60-25V-472
容值/容差:4700pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥1G@25V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:1.524*1.524*0.150 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
推薦產(chǎn)品二、麗芯微電47pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容
型號:C12-20-100V-470
容值/容差:47pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥100G@100V
損耗@頻率:≤4.0@1KHz
封裝尺寸:0.635*0.635*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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